和讯配资世强硬创CIOE 2026展示AI算力“供电—算力—光互联—散热”四层方案

AI大模型训练与推理需求持续爆发，导致算力硬件功耗快速攀升。AI芯片核心电压已降至0.65—0.9V，电流从数百安培升至上千安培；光模块功耗从800G时代的25—30W增至1.6T时代约40W以上，3.2T时代预计突破50W。供电、光互联与散热的系统协同，成为AI服务器与高速光模块落地的关键。

9月9日，第27届中国国际光电博览会（CIOE 2026）在深圳国际会展中心（宝安）开幕，世强硬创平台围绕上述痛点，展示覆盖供电、算力、光互联、散热的四层方案。

展会现场，较多专业观众就1.6T光模块国产物料、3.2T NPO硅光架构及车载光模块配套方案与现场技术团队交流，咨询方向集中在引脚兼容替换、AFE/TEC选型、NPO功耗与液冷协同、车规可靠性等落地问题。

01 供电链路：适应“低压大电流”新常态

AI芯片电压持续走低，对供电的瞬态响应、电流承载能力提出了严苛要求。世强展示的国产化AI XPU电源方案覆盖从380V高压直流至1V芯片核心的完整链路，包括380V转48V的2500W HVDC模块、48V转12V的2000W IBC模块，以及多相控制器、DrMOS和芯片电感，可满足600—1800A稳态、峰值2000A的供电需求，瞬态响应10μs以内，满足AI计算对稳定性和瞬态响应的严苛要求。这套覆盖从控制器到功率级的GPU供电方案，重点主打解决客户低电压、大电流、低纹波、高瞬态的需求。

如果说XPU电源方案解决的是链路怎么搭，这套3kW数字电源方案解决的就是单点怎么做极致。方案基于实时操作系统，配套图形化上位机，可在线配置参数、抓取波形、统一管理保护策略，无需重新编译固件。前级为两相交错图腾柱PFC，快桥臂采用SiC MOSFET，降低反向恢复与开关损耗；后级为三相交错LLC，降低输出纹波、减小滤波电容，提升功率密度。整机峰值效率达97.7%，50%—100%负载下PF大于0.99，达到钛金标准以上，有助于数据中心降低PUE。

02 算力方案：国产化与高能效并行

算力层面，世强带来全国产化GPU加速卡与通用计算GPU卡两款方案。前者通过器件国产化平替与关键技术迭代，重点解决核心器件依赖进口、供应链风险高、成本居高不下、功耗与算力适配性不足等痛点；后者提供260Tops通用算力，适用于AI推理与通用加速场景。

边缘侧，AI Box方案算力突破128TOPS，能效比达4.26TOPS/W，相比降频方案续航能力提升3倍，适配边缘推理场景。

03 光互联升级：从1.6T到3.2T NPO

1.6T是当前数据中心升级的主力速率。世强展示了面向1.6T光模块的关键物料国产替代方案，包括引脚兼容的光模块专用MCU、覆盖硅光/EML/可配置等路径的定制化AFE芯片，以及体积小、集成度高的TEC驱动芯片。整套方案已在头部光模块客户批量使用。

面向下一代速率，3.2T NPO硅光方案基于硅光SiPh与NPO近封装架构，遵循OIF标准，针对高带宽、低功耗、高密度集成光模块需求设计，适配AI算力与超高速数据中心互连。该方案与1.6T方案在国产物料链上保持延续，MCU、AFE、TEC等均可复用。

车载光模块是另一重要应用方向。针对车规认证周期长、可靠性难达标、量产成本高等痛点，世强在车载光模块方案中提供覆盖主控、电源、接口信号链、连接器与散热环节的物料配套，支持标准化降本与量产适配。

光互联之外，平台同步提供面向高速设计的配套物料：TFLN调制器、光波导芯片、PCIe 5/6时钟、高速板材与Socket连接器，以及高容MLCC、110GHz硅电容、625M高基频晶振等无源器件，可按照1.6T/3.2T/NPO/XPO不同架构做联合选型。

04 热管理：液冷成为高密度形态必选项

以12.8T XPO为代表的高密度光模块形态，单模块功耗可达100—400W，风冷已逼近极限，液冷从选配变为必选。世强为此展示了针对12.8T XPO的散热材料与胶黏剂方案，其中石墨烯导热垫片热导率达130W/m·K，热阻低至0.05℃·cm²/W，可高效导出芯片热量；配套密封胶挥发低于0.5%，降低光路污染风险。

液冷方面，依据不同XPO、NPO等高速光互连架构、规格与空间需求，提供相对应的水冷板、UQD水冷接头及液冷整合方案。

目前，世强已联合正凌、国民技术、图灵量子、EPSON、泰晶、龙飞微等原厂形成上述系统方案，并在天数智芯、清微智能、壁仞、东方算芯、沐曦、瀚博、海信、极致、光迅、新易盛等部分客户项目中导入或量产。

后续将持续面向AI算力基础设施提供从选型、打样到批量供应的研发与采购服务。